大信号模型论文

基于神经网络的微波射频MOSFET器件建模
论文摘要随着无线通信技术的不断发展,射频集成电路在其中扮演越来越重要的角色。CMOS工艺已经成为制作可靠的射频电路最合适的工艺之一,CMOS工艺的不断进步已经使MOSFET器件...
晶体管建模技术的研究
论文摘要本文主要进行晶体管建模技术的研究,其主要目的是建立GaAsFET大信号非线性电路模型,给出一个计算机非线性仿真模拟的平台。论文首先从传统的非线性的表征方法入手,对传统的...
4H-SiC MESFET非线性模型研究
论文摘要SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性,这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照等领域的有着广泛的应用前景。4H-SiC金属...
微波功率SiC MESFET大信号建模技术研究
论文摘要碳化硅（SiC）是第三代（宽禁带）半导体电子材料，SiC金属一半导体场效应管（MESFET）在高温、大功率、高频、抗辐射等领域有着广阔的应用前景。与目前已取得较好成果的...
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究
论文摘要氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一,其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝光、...