等离子体刻蚀论文
0.18微米MIM刻蚀晶片边缘良率的改善
论文摘要随着电子系统向体积更小、速度更快、功能更多、性能更强的方向发展,为了满足市场的需要,半导体公司必须能够更加及时的提升新产品的良率,以更低的成本去大批量的生产更为复杂的产...等离子体去胶对低介电常数材料损伤的研究
论文摘要随着芯片特征尺寸的降低,金属互连中的电阻和寄生电容成为限制芯片性能的一个主要因素。这使得半导体工业不得不放弃使用二氧化硅和金属铝互连的连线方式,转而使用铜金属和低介电常...微笔直写悬空微桥结构的关键技术研究
论文摘要近年来,随着现代先进制造技术的迅速发展,各种各样的新工艺新材料不断涌现,极大的推动了微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem,MEMS)...微波低噪声放大器毁伤机理研究和SiC薄膜的外延生长与刻蚀技术研究
论文题目:微波低噪声放大器毁伤机理研究和SiC薄膜的外延生长与刻蚀技术研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:柴常春导师:杨银堂关键词:半导体器件,集成电路,...