电场模型论文

AlGaN/GaN HFET击穿特性分析与耐压新结构
论文摘要与Si、GaAs基等传统电力电子器件相比，宽禁带半导体材料GaN不但具有临界击穿电场高、电子饱和速率高、耐高温、抗辐照等优势，同时由于极化效应，可以与AlGaN等材料形...