电导有效质量论文

应变Si/应变SiGe空穴迁移率研究
论文摘要Si基应变材料(应变Si、应变SiGe)能提高载流子迁移率,已经成为高速/高性能半导体器件和集成电路的研究重点,本文主要研究应变Si/应变SiGe材料空穴迁移率。首先,...