电感应扩展源漏论文

纳米围栅MOSFET器件研究
论文摘要随着半导体器件尺寸不断缩小,通过等比例缩小器件尺寸来提高器件性能的方法即将接近极限。因此,众多研究致力于发展新型器件结构来满足纳米尺寸工艺条件下芯片对器件特性的要求。一...