电力半导体器件论文

4.5kV IEGT的IE效应与特性分析
论文摘要电子注入增强型栅极晶体管IEGT（InjectionEnhancementGateTransistor）是由IGBT发展而来的。1994年由日本东芝公司开发成功。由于I...
功率MOSFET新结构及其工艺研究
论文摘要功率MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽以及热稳定性好等特点,广泛地应用于开关电源、汽车电子、不间断电源和逆变器等领域。本文简要地分析了功率MOSFET...