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SiO2介质材料辐照损伤—噪声测试结构研究
论文摘要二氧化硅(SiO2)是集成电路(IC)中常用的介质材料,也是MOS器件及其IC中最易受辐照损伤的部位。为此,对SiO2介质材料辐照效应的研究将会保证MOS器件及其IC在...
用于筛选的VDMOS器件抗辐照能力表征参量研究
论文摘要近年来,随着对电子元器件低频噪声的深入研究,人们发现低频噪声能敏感地反映电子元器件内部潜在的缺陷。因此,可以用噪声来分析和表征电子元器件的质量和可靠性。与传统的方法相比...