电流崩塌论文

GaN基HEMT高温特性及热可靠性研究
论文摘要第三代半导体材料GaN由于具有击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等优良特点,因此相关器件在高温、大功率应用方面具有非常广阔的应用前景。虽然近年来对GaN基HEMT...
GaN基双异质结特性研究
论文摘要由于出色的高频大功率处理能力,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件成为下一代RF和微波功率放大器的理想继任者。近些年来,随着材料质量和器件工艺的不断进步...
AlGaN/GaN FP-HEMTs研究
论文摘要AlGaN/GaNHEMT器件被认为是1-50GHz频率范围内理想的微波功率器件,而第三代移动通信（3G）时代的到来,对微波功率器件的性能提出了更高的要求:一方面要求功...
AlGaN/GaN HEMT E类功率放大器设计
论文摘要无线通讯技术的迅猛发展对功率放大器功率、频率、高温特性提出了更高的要求,第三代（宽禁带）半导体材料GaN以其优异的电学特性使得AlGaN/GaNHEMT功率放大器成为研...