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胡黎:高压GaN隔离栅驱动技术设计考虑论文
本文主要研究内容作者胡黎,冯旭东,明鑫,张波(2019)在《高压GaN隔离栅驱动技术设计考虑》一文中研究指出:GaN晶体管相对于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件...