电迁移论文

论文摘要随着集成度的增加及器件尺寸的等比例缩小,由互连引入的电阻电容延迟所占的比重越来越大。为了减小互连延迟,业界采用铜互连代替传统的铝互连,采用低介电常数材料替代传统的二氧化...

论文摘要随着集成电路中信号频率的不断升高以及多层互连结构散热条件的恶化，传输脉冲或者交流信号互连线的可靠性问题也越来越突出。当频率超过一定的临界值，高频信号在金属互连线上将发生...

论文摘要焊点中的电迁移是影响电子封装可靠性的关键因素之一。根据环保的要求,无铅钎料取代有铅钎料是必然的趋势。尽管无铅焊点的电迁移现象被业界广泛关注,但其行为机理却鲜有学者研究。...

论文摘要目前,倒装芯片技术在电子封装中占据非常重要的地位,但是随着封装密度的不断提高,电迁移现象已经成为严重影响其可靠性的重要问题,已引起广泛关注。低银SnAgCu系无铅钎料是...

论文摘要目前,经过污水处理厂常规处理后的出水,通常较易达到总氮小于35mg·L-1可无害化排放的水质指标,但较难降低至10mg·L-1以下的资源化利用的指标要求。这是因为水中的...

论文摘要随着芯片特征尺寸越来越小,集成度越来越高,对芯片可靠性的研究变得日益重要,而其中电迁移现象是影响互连引线的主要可靠性问题。在0.13μm以上的制程中,主要采用铝铜合金作...

论文摘要集成电路可靠性的瓶颈问题——内导线失效,是在电、热、力等多场耦合条件下的电迁移、热迁移和应力迁移现象造成的。随着集成电路的日益微型化,金属薄膜内连导线在多场耦合环境下的...

论文摘要随着集成电路制造工艺的发展,铜由于具有低的电阻率和较高的抗电迁移能力而逐渐取代了铝作为互连线材料。当互连线特征尺寸减小到0.5μm以下,相比于互连线材料本身的固有性能,...

论文摘要本文研究了Cu/低k互连系统可靠性,包括Cu互连的电迁移和应力迁移失效问题。讨论了电迁移失效的测试分析方法,探索了Cu互连的电迁移失效机理和改善铜互连抗电迁移性能的措施...

论文摘要为了提高集成电路的生产率,避免芯片中部分器件失效而导致整个电路失效,而引入了基于熔丝技术的冗余技术。电编程熔丝(eFUSE)以其体积小、成本低廉、可缩小性强、可以在封装...

论文摘要随着电子封装互连焊点的尺寸越来越小,焊点内的电流密度越来越大,电迁移逐渐成为影响封装可靠性的关键问题之一引起广泛关注。电子制造工业中已经广泛采用无铅钎料代替SnPb共晶...

论文摘要本文以电子封装的无铅材料为对象,分别采用试验、理论分析、数值模拟和数学推导的方法系统研究了纯Sn覆层在温度循环条件下的晶须生长机理,高温（160°C）和高电流密度（2....

论文摘要现代集成电路互连线的有效截面积已达到1平方微米量级以至于更小。因此,当电流达到毫安量级将导致电流密度达到兆安每平方厘米数量级。在这种情况下电迁移现象极为明显。金属互连电...

论文摘要随着VLSI特征尺寸向着深亚微米级甚至纳米尺度发展，其互连线截面积越来越小，其承受的电流密度大幅度增加，电迁移引发的失效越来越显著，引起人们极大关注。本文在电迁移失效机...

论文摘要本论文研究了超大规模集成电路(ULSI)多层金属布线中的热效应和可靠性问题。在多层金属布线网络中，通过模型，详细研究了单层单线、多层单线和多层多线的温度分布，以及介质材...

论文摘要随着硅集成电路工艺的发展,由于特征尺寸的持续缩小,基于减少RC延迟、增强抗电迁移能力和降低生产成本等诸多需求的考虑,微电子产业已经逐渐转向采用铜（Cu）作为标准的互连导...

论文题目:深亚微米IC物理设计中的信号完整性研究论文类型:硕士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:王胤翔导师:陆生礼关键词:物理设计,信号完整性,串扰,直流电压降,电迁移,...

论文题目:电生物复合吸附塔处理重金属离子的研究及数学模拟论文类型:博士论文论文专业:化学工程作者:刘丽艳导师:李鑫钢关键词:重金属离子,复合吸附剂,生物吸附,竞争吸附,吸附动力...

论文题目:等离子体浸没注入对Ta薄膜的改性及Cu/Ta-X/SiO2体系失效机理研究论文类型:博士论文论文专业:材料物理与化学作者:江素华导师:宗祥福关键词:互连,扩散阻挡层,...

论文题目:微电子器件可靠性建模与仿真的逾渗分析方法论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:马中发导师:庄奕琪关键词:可靠性,逾渗,建模,仿真,介质经时击穿,电迁移...