电子注入增强型栅极晶体管论文

4.5kV IEGT的IE效应与特性分析
论文摘要电子注入增强型栅极晶体管IEGT（InjectionEnhancementGateTransistor）是由IGBT发展而来的。1994年由日本东芝公司开发成功。由于I...