论文摘要采用直流磁控反应溅射技术由金属镶嵌Zn/Mo靶制备高价态差掺钼氧化锌ZnO:Mo(zMO)透明导电薄膜。研究了钼掺杂量和基片温度等参数对ZMO薄膜结构和光电性能的影响。...
论文摘要本文对n型和p型MnSi1.7薄膜进行了俄歇谱分析,研究了化学位移和薄膜电学性能之间的关系。和纯Mn相比,p型和n型MnSi1.7薄膜样品的Mn[MVV]峰分别有+2....
论文摘要氮杂质对单晶硅的性能有重要影响,氮在硅中的性质,相关缺陷的作用机理,以及对硅电学性能的影响一直为人们所研究。本文通过氮离子注入的方法在单晶硅中掺入杂质,经常规退火和快速...
论文摘要目前半导体材料主要以Si和GaAs为主,由于它们在高温条件下一些性能不佳,使得以SiC为代表的第三代半导体材料得到了广泛的关注,SiC材料较高的击穿电压和热导率使器件功...
论文摘要本文采用单辊实验装置研究了Ni-28%Sn,Ni-30%Sn,Ni-32.5%Sn和Ni-33%Sn合金的快速凝固及组织特征,通过将金属熔体热传导方程与Navier-S...
论文摘要本文采用单辊实验技术研究了Ni-Pb和Cu-Pb偏晶合金的快速凝固及组织特征,通过将金属熔体的热传导方程和Navier-Stokes方程相耦合,理论计算了液态合金的冷却...
论文摘要脉冲电镀是20世纪60年代发展起来的一种电镀技术,因为它的应用范围极广,不但在各种常规镀种的高速电镀上应用,而且在印制板高密度互连(HighDensityInterco...
论文摘要天然气水合物储层物性研究是水合物开发的一个重要环节。水合物在形成过程中会对储层岩石性质产生影响,进而引起储层声波速度、电阻率和渗透率等相关参数的改变。本论文实验测量了不...
论文摘要ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,不仅光电性能优异、化学稳定性好、热稳定性高,且易于掺杂形成性能更为优异的材料,因而在太阳能电池、液晶显示器、短波长发光...
论文摘要氮化钛(TiNx)是过渡金属氮化物,它由离子键、金属键和共价键混合而成,它独特的电子结构所表现出高硬度、高熔点、化学稳定性高以及优良导电性能和红外波段较高光学反射率使它...
论文摘要在工程中污染可以引起水泥土地基强度的降低,导致建筑物失稳或破坏,因此研究污染对水泥土的影响非常重要,这已经成为环境岩土工程领域中的一个新课题,但是目前国内外尚无检测污染...
论文摘要地热作为一种绿色环保能源,在世界各地普遍受到高度重视,成为各国竞相研究、开发的对象。我国是一个能源消费大国,同时也是中、低温地热资源蕴藏丰富的国家之一,目前已开发的地热...
论文摘要地铁工程混凝土结构往往处于杂散电流与氯离子共存的腐蚀环境中,二者对混凝土耐久性劣化的相互促进作用使得这类工程混凝土面临更为严重的耐久性问题,其耐久性的劣化机理也比单因素...
论文摘要高硅钢具有优异的软磁性能,如中高频铁损低,磁导率高,矫顽力小,磁滞伸缩接近于零等。而且,高硅钢的厚度对磁性能有非常大的影响,厚度越薄高频铁损就越低。高硅钢特别适合应用于...
论文摘要以石英玻璃管为基体,先是采用化学镀的方法在在非金属材料石英玻璃管上镀上一层Ni—P合金镀层,然后以化学镀Ni-P合金的石英玻璃管为基体,通过复合电沉积的方法获取了在基体...
论文摘要密实SnO2电极陶瓷材料具有良好导电性能和抗玻璃液侵蚀性能,是玻璃电熔技术的关键组成部分。论文以SnO2、CuO、Sb2O3粉体为原料,采用无压烧结技术制备含CuO与S...
论文摘要随着硅集成电路工艺的发展,由于特征尺寸的持续缩小,基于减少RC延迟、增强抗电迁移能力和降低生产成本等诸多需求的考虑,微电子产业已经逐渐转向采用铜(Cu)作为标准的互连导...
论文摘要ZnO是一种直接带隙半导体材料,属于六方纤锌矿结构。由于(002)晶面的表面自由能最低,晶体有C轴择优取向的特性。作为一种直接带隙宽禁带半导体材料,ZnO最具潜力的应用...
论文摘要密实SnO2电极陶瓷材料具有良好的导电性能和抗玻璃液侵蚀性能,是玻璃电熔技术的关键组成部分。论文以SnO2、ZnO、CuO、Sb2O3粉体为原料,采用无压烧结技术制备出...
论文摘要葡南油田位于大庆市与肇源县交界附近,地处松辽平原北部的葡萄花油田南部,属于采油七厂区块。葡南油田于1984年投入开发,1985年注水井陆续转注,到目前已经开始部署第七批...