• 钛酸锶薄膜的阻变性能研究

    钛酸锶薄膜的阻变性能研究

    论文摘要非挥发性存储器(NVM)应该具有以下特性,如高密度、低成本、快速的读、写访问、低功耗、高耐疲劳性和长的保持性。硅基闪存(Flash)器件由于高密度和低制备成本,成为目前...