叠层高栅介质论文

高k栅介质Si/Ge MOSFET迁移率模型及制备工艺研究
论文摘要在过去的几十年中,用于低功耗、高性能CMOS场效应晶体管栅介质SiO2的厚度持续减小,目前,对于纳米级CMOS器件已减小到只有几个原子层的极限厚度,使栅极漏电和静态功耗...