叠栅结构生长论文

新型高κ材料叠栅MIS结构实现和电特性研究
论文摘要当集成电路发展到45nm工艺节点以下时，传统的SiO2作为栅氧化层介质会导致电子的直接隧穿效应以及栅介质层所承受的电场变大，由此引起的栅介质的泄漏电流增大和可靠性下降等...