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相变存储器低功耗优化研究及其在多态存储中的应用
论文摘要相变存储器(PCM)利用的是材料晶态时低阻与非晶态的高阻特性来实现逻辑存储的一种技术,是最有可能在45nm以下技术代取代SRAM、DRAM和Flash等当今主流产品而成...