低温沉积论文

论文摘要氮化铟（InN）是InGaN合金的重要组成部分,InN使制造InGaAIN基的短波长半导体激光二极管成为可能,因此引起了广泛的关注。与其它III族氮化物氮化镓（GaN）...

论文摘要氮化镓（GaN）属于Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体,具有纤锌矿晶体结构,室温下的禁带宽度为3.39eV,是新一代宽禁带半导体材料,具有广泛的应用。首先,GaN可制成高效蓝、绿光...

论文摘要TiN呈金黄色，硬度大，熔点高，抗腐蚀性、抗磨损性及抗氧化性好，导电性和导热性良好，在机械工业、微电子制造业、珠宝装饰业、玻璃制造业等领域具有广范的应用前景。制备TiN...

本文主要研究内容作者程奕天,邱万奇,周克崧,刘仲武,焦东玲,钟喜春,张辉（2019）在《低温反应溅射Al+α-Al2O3复合靶沉积α-Al2O3薄膜》一文中研究指出：低温沉积α...