短沟效应论文

新型纳米MOS器件研究
论文摘要纳米线围栅器件结构凭借其理想的栅控能力被认为是MOSFET进入纳米尺度的最终选择。本论文提出一种与传统CMOS器件工艺方法兼容的在体硅衬底上制备大扇出源漏硅纳米线围栅器...