度部分位错论文

硅锗异质结构中部分位错演化的分子模拟
论文摘要Si和Ge是当代电子工业中应用最多的半导体材料。在Si基体上外延生长SiGe合金形成了SiGe/Si异质结构。由于异质结构能够对器件的能带进行人工剪裁,并且具有优异的光...
基于第一性原理的位错运动特性的分子模拟研究
论文摘要通过外延生长得到的SiGe异质结构薄膜在高性能Si基器件上有着广泛的应用前景。近年来,随着低温Si缓冲层技术的提出,获得高质量、低位错密度的SiGe薄膜成为可能。对硅的...