![InGaN/GaN多量子阱势垒层掺In工艺及其应用研究]()
论文摘要随着LED的应用范围越来越广,从最初的指示灯、显示屏,到液晶屏幕背光源、室内外照明等领域,对LED的亮度要求越来越高。尤其目前采用蓝光发光二极管混合荧光粉激发的白光作为...
![闪锌矿InGaN/GaN低维量子结构中电子和光学性质]()
论文摘要在有效质量近似下,本文采用类氢型的试探波函数,运用变分法系统地研究了外电场对闪锌矿InGaN/GaN耦合多量子阱中的类氢杂质态的影响。在计算过程中,我们考虑了多量子阱阱...
![InAs/GaAs量子点生长及两段式半导体光放大器研制]()
论文摘要经过近半个世纪的发展,半导体光放大器(SOA)在光电子器件和光通信领域内已经得到了广泛的研究和应用,体材料SOA和量子阱SOA都已经实现了商品化生产。但是由于体材料SO...
![MOCVD技术与GaN材料外延工艺]()
论文摘要发光二极管（LED）是一种电致发光器件,自上世纪60年代被发明以来,尤其是90年代以后得到了迅猛的发展。随着相关的新结构、新材料及新工艺的不断发展和更新,它的性能也得到...
![GaSb基量子阱激光器材料的结构设计与特性表征]()
论文摘要本论文针对高质量的InGaAsSb／AlGaAsSb量子阱激光器的特点和存在的问题，对激光器的结构进行了优化设计，并进行了锑化物的分子束外延（MBE）生长、激光器的制备...
![GaN基蓝紫光激光器制备的理论与关键技术的研究]()
论文摘要宽禁带Ⅲ-Ⅴ族GaN基半导体材料在发光二极管、激光器、光电探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着诱人的应用前景和巨大的市场需求,是近年来光电子材料领域研究的热门...
![宽带量子阱红外探测器（QWIP）的研究]()
论文摘要GaAs／AlxGa1-xAs量子阱红外探测器由于其灵敏度高，响应速度快，响应波长范围可调，器件性能均匀一致性好，有利于制成二维焦平面阵列等优点，因而，近十多年来，量子...
![Ⅲ－Ⅴ族半导体多量子阱多模干涉型光子器件研究]()
论文题目:Ⅲ－Ⅴ族半导体多量子阱多模干涉型光子器件研究论文类型:硕士论文论文专业:物理电子学作者:邹晓冬导师:孙小菡,肖金标关键词:集成光学,平面光波光路器件,多量子阱,多模干...
![锑化物激光器、探测器MBE生长与物理研究]()
论文题目:锑化物激光器、探测器MBE生长与物理研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:唐田导师:张永刚关键词:分子束外延,多量子阱,锑化物,激光器,探测器文献...
