度位错论文

基于第一性原理的位错运动特性的分子模拟研究
论文摘要通过外延生长得到的SiGe异质结构薄膜在高性能Si基器件上有着广泛的应用前景。近年来,随着低温Si缓冲层技术的提出,获得高质量、低位错密度的SiGe薄膜成为可能。对硅的...