![0.18微米MIM刻蚀晶片边缘良率的改善]()
论文摘要随着电子系统向体积更小、速度更快、功能更多、性能更强的方向发展,为了满足市场的需要,半导体公司必须能够更加及时的提升新产品的良率,以更低的成本去大批量的生产更为复杂的产...
![0.35μm高压（14V）工艺平台良率提升和缺陷改善]()
论文摘要随着集成电路飞速发展,芯片的集成度越来越高,同时也对新的集成电路设计和制造提出了更高的要求,其中包括应用日益广泛的高压集成电路。本论文是在所在公司已开发的0.35μm高...
![基于良率最大化的SOC测试程序开发]()
论文摘要集成电路发展到今天的SoC时代,遇到最为棘手的问题是SoC芯片的可测性问题和测试良率问题。而没有高测试良率的产品是没有竞争力的。如何有效及时地开发出良率最大化的测试程序...
![超大规模集成电路快速热退火工艺的优化研究]()
论文摘要当面对更大尺寸的硅片和更小的特征尺寸器件时,硅片上温度的微小变化,所造成的温度不均匀度,就会导致产品合格率的降低,论文提出快速热退火温度均匀性的解决方案。在阐述原理的基...
![可制造性设计（DFM）的关键图形匹配方法的分析和实践]()
论文摘要从1958年产生第一个集成电路开始,集成电路都一直以极其高的速度在发展,集成电路的集成度(每个微电子芯片上集成的器件数),每隔2年左右的时间就翻一番。同样,由集成电路发...
![蚀刻反应腔部件对制程条件影响及控制研究]()
论文摘要蚀刻在半导体工艺中主要负责图形转换的过程,线宽的变窄对工艺的稳定性提出了相当高的要求。90nm以下的产品,对各方面要求都提高了,原先可以忽略的小的缺陷现在都是会影响良率...
