![GaN电子器件的物理特性模拟及分析]()
论文摘要随着微波技术的广泛应用,尤其是无线通讯、航空航天、现代国防电子装备等技术的飞速发展以及工作环境要求的日益苛刻,对电子器件的功率、频率、耐高温及抗辐射等性能的要求越来越高...
![AlGaN/GaN异质结的C-V特性研究]()
论文摘要近年来,作为第三代半导体的代表,氮化镓（GaN）因广阔的应用前景而备受关注。商业化GaN基蓝光发光二极管（LED）和激光器（LD）的出现,吸引了更多科研机构和企业转向G...
![高电子迁移率晶体管的建模和优化]()
论文摘要近些年来,固态半导体器件在微波功率放大器领域正在逐步取代真空电子管,其中AlGaN/GaNHEMT具有高跨导,高饱和电流,噪声低,高击穿电压,耐高温等特点,是取代真空电...
![二维电子气结构的超晶格薄膜制备及其激光感生热电电压效应研究]()
论文摘要采用固相法和共沉淀法分别制备出SrTiO3、SrTi0.8Nb0.2O3和LaAlO3多晶靶材,并用XRD对其进行了分析。利用脉冲激光沉积（PLD）技术,首先摸索出在L...
![量子霍尔系统中的量子相以及量子相变的实验研究]()
论文摘要从GaAs/A1GaAs半导体量子阱中二维电子气在极低温强磁场下量子输运的实验出发,通过调节磁场大小、倾斜角度、电子气浓度、样品温度和射频场等外加参数,测量霍尔样品的纵...
![AlGaN/GaN HEMT击穿特性研究和场板结构优化设计]()
论文摘要新兴的第三代半导体材料GaN由于其禁带宽度大,击穿电场高,耐压能力强等优势,目前已成为国内外研究热点。近年来,AlGaN/GaNHEMT在微波大功率应用方面的前景已逐渐...
![AlGaN/GaN基HEMT材料性能与测试技术的研究]()
论文摘要高电子迁移率晶体管被公认为微波/毫米波器件和电路领域中最有竞争力的三端器件,它不仅具有优异的低噪声特性,而且具有出色的功率性能,将彻底改变以相控雷达为代表的军用电子装备...
![AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究]()
论文摘要氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一,其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝光、...
![AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型、关键工艺及器件制作]()
论文摘要AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于具有大的直接带隙能、高的饱和漂移速度、大的导带不连续性、良好的热稳定性以及强的自发和压电极化效应,从而在高频、高温和...
