二氧化铪论文

锗基与二氧化铪基铁磁半导体的电子结构和磁性研究
论文摘要电子既是电荷的载体,又是自旋的载体。以研究和控制电子的荷电特性及其输运特性为主要内容的微电子学,作为二十世纪人类最伟大的成就之一,极大地推动了社会的进步,使人类进入了信...
表面后处理对原子层淀积HfO2介质的高密度MIM电容性能改善研究
论文摘要本文采用原子层淀积（ALD）技术,以四（乙基甲胺基）铪（TEMAH）与去离子水（H2O）为反应源,制备了高介电常数HfO2介质薄膜,研究了各种表面后处理方法对HfO2介...
高k栅介质MOS器件模型和制备工艺研究
论文摘要随着金属氧化物半导体（MOS）器件尺寸的缩小,栅极漏电急剧增加,导致器件不能正常工作。为了降低超薄栅介质MOS器件的栅极漏电,需采用高介电常数（高k）栅介质代替SiO2...
硅基高κ材料的分子束外延生长
论文题目:硅基高κ材料的分子束外延生长论文类型:博士论文论文专业:凝聚态物理作者:徐闰导师:蒋最敏关键词:高材料,栅介质,分子束外延,二氧化铪,三氧化二饵文献来源:复旦大学发表...