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SnO2薄膜气体传感器制备及其性能研究
论文摘要SnO2是一种宽带隙n型半导体材料,室温下能隙宽度为3.67eV,有良好的化学稳定性、光学各向异性等特点。SnO2薄膜由于具有对可见光透光性好、紫外吸收系数大、电阻率低...