![离子注入法制备富硅氧化硅薄膜的发光特性研究]()
论文摘要由于晶体Si的带间跃迁发光效率比GaAs等化合物半导体低3-5个数量级,无法满足光电子器件的需要,完全的硅基光电子集成网络也一直未能面市。将富余的硅元素掺杂进Si02基...
![GaAs基高密度InAs量子点材料制备与表征]()
论文摘要近年来,由于量子点具有其它体材料所不可比拟的优越性,越来越被人们关注,所以量子点材料的制备和性质的研究,是当今社会最前沿的科学技术,尤其是Ⅲ-Ⅴ族体系的一些材料具有非常...
![烟火泵浦激光器原理与实验研究]()
论文摘要受化学物质氧化-还原反应发出强闪光的启发,以烟火药燃烧发光机理研究为基础,进行了烟火药特征辐射光谱与激光介质吸收光谱匹配的尝试和新配方烟火泵浦源药剂的研究,继而设计制备...
![纳米硅/氮化硅微结构调整及光学特性研究]()
论文摘要本工作利用对靶磁控溅射技术在单晶Si和石英衬底上进行了纳米SiN:H薄膜及a-Si:H/SiN:H的制备。通过傅立叶变换红外吸收光谱、紫外-可见透射光谱、原子力显微镜、...
![掺杂纳米碳化硅薄膜的制备及光学特性研究]()
论文摘要本工作利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术,在单晶Si及Corning7059玻璃衬底上通过控制衬底温度与氮气流量制备了不同氮掺杂比例的纳米晶态3C-SiC和6H-S...
![脉冲激光沉积ZnO薄膜的工艺及其性能的研究]()
论文摘要随着信息时代的到来，人们对短波长发光器件的需求日益增长，因此人们对宽禁带直接带隙半导体的研究产生了极大的兴趣。氧化锌（ZnO）是一种宽禁带直接带隙（室温下3.37eV）...
![稀土掺杂SiO2凝胶基质发光材料的制备及特性研究]()
论文摘要采用溶胶-凝胶技术制备了SiO2干凝胶，Tb3+单掺和Eu3+、Tb3+共掺SiO2基质干凝胶及发光薄膜。通过红外光谱仪、原子里显微镜（AFM）、荧光分光光度计等技术对...
![鲍奇：基于能量传递与基质调控获取颜色可调型NaBaB9O15荧光粉及其性能调控论文]()
本文主要研究内容作者鲍奇（2019）在《基于能量传递与基质调控获取颜色可调型NaBaB9O15荧光粉及其性能调控》一文中研究指出：本文采用传统高温固相法,制备了一系列以NaBa...
![曾飘飘：CaGd2（MoO4）4:Sm3+,La3+荧光粉的制备及发光性能研究论文]()
本文主要研究内容作者曾飘飘,吴冬妮（2019）在《CaGd2（MoO4）4:Sm3+,La3+荧光粉的制备及发光性能研究》一文中研究指出：采用高温固相法合成了CaGd2-x（M...
![谢飞燕：一种新的荧光粉材料Ca8MgLu（PO4）7:Dy3+的制备及发光特性论文]()
本文主要研究内容作者谢飞燕,徐德康,陈鸿雁（2019）在《一种新的荧光粉材料Ca8MgLu（PO4）7:Dy3+的制备及发光特性》一文中研究指出：采用高温固相法合成一种黄色荧光...
