反胶束微乳液论文

论文摘要氧化锌（ZnO）作为一种典型的Ⅱ-Ⅵ族直接带系宽禁带半导体材料,是近年来研究最为广泛的半导体材料之一。高达到3.4eV的禁带宽度,使其具有优异的短波长发光能力；高达60...

论文摘要近年来,氧化锌（ZnO）作为一种新型的直接宽禁带半导体材料,受到了众多研究学者的关注。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV,这一特性使其具有出色的短波长发光能力。ZnO...

论文摘要ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族的直接带隙、宽禁带半导体材料,具有六方纤锌矿结构。由于ZnO具有优异的压电、光电、气敏、压敏等特性；近年来受到广泛的关注和研究。Al掺杂ZnO薄膜不...

论文摘要氧化锌（ZnO）是近年来研究最为广泛的半导体材料之一。作为一种典型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带金属氧化物半导体,ZnO的禁带宽度达到3.4eV,因此具有出色的短波长发光能力；高达6...