反型层论文

  • Fe3O4-SiO2-Si结构反型层输运特性的研究

    Fe3O4-SiO2-Si结构反型层输运特性的研究

    论文摘要Fe3O4由于其高达840K的居里温度以及磁电阻效应而被广泛研究,Si基半导体是集成电路的基础。将二者相结合,构成Fe3O4-氧化物-半导体场效应晶体管结构可以实现自旋...