非规则多量子阱论文

Ⅲ族氮化物量子阱光电子学特性和应用的研究
论文摘要Ⅲ族氮化物半导体,包括AlN,GaN和InN及它们所组成的三元化合物AlGaN,InAIN,InGaN和四元化合物InAlGaN,因为其禁带宽度覆盖了紫外到可见光的重要...