非极性论文

GaN基外延材料缺陷与应变分析及缺陷抑制方法研究
论文摘要GaN作为第三代（宽禁带）半导体，正得到日趋广泛的应用，但是由于缺少实用的同质衬底，导致依靠异质外延生长的III族氮化物材料具有很高的缺陷密度，晶体质量不高，器件应用受...
单源化学气相法制备ZnO薄膜及其光电性质研究
论文摘要ZnO是一种直接宽禁带半导体材料,室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。因此可以实现室温下的高效率激子发射以及紫外发光,使得ZnO成为一种极具发展和应用...
SSCVD制备ZnO薄膜
论文摘要ZnO是一种宽带隙半导体材料（3．37eV），激子束缚能大（60meV），在室温下容易获得强的激子发射，可能成为紫外激光的重要材料。由于ZnO（002）晶面表面自由能最...