非线性电荷控制模型论文

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型、关键工艺及器件制作
论文摘要AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于具有大的直接带隙能、高的饱和漂移速度、大的导带不连续性、良好的热稳定性以及强的自发和压电极化效应,从而在高频、高温和...