分裂栅论文

沟槽MOSFET栅极工艺的应用和优化
论文摘要沟槽功率MOSFET作为一种新型垂直结构器件,拥有开关速度快、频率性能好、输入阻抗高、驱动功率小、温度特性好、无二次击穿问题等优点,已经在稳压器、电源管理模块、机电控制...
功率UMOSFET器件新结构及其特性研究
论文摘要功率槽栅MOS（UMOSFET）是在VDMOS和VMOS基础上发展起来的一种功率半导体器件,由于功率UMOSFET可以从工艺技术上有效的降低器件的特征导通电阻（RON）...