![InAs/Ga(In)Sb超晶格长/远波段红外探测器研究]()
论文摘要近三十年来,红外探测器在军事和民用等方面发展迅速。特别InAs/GaSbⅡ类超晶格显示出优越的性能,其能带结构可调（0～0.8ev）,响应波长范围广,量子效率高,俄歇复...
![硅基纳米结构及功能氧化物薄膜的分子束外延生长与特性研究]()
论文摘要随着半导体技术的进步,人们越来越面临两方面的挑战.一方面,随着集成度的日益提高,器件的尺寸不断的减小,其已经越来越接近传统半导体器件的物理极限.这时器件中的载流子的行为...
![C60分子在Si（111）-7×7重构表面MBE生长的STM/STS研究]()
论文摘要本文主要在超高真空条件下利用分子束外延技术完成C60分子在Si（111）-7×7的生长,研究了分子与衬底之间的相互作用以及其随温度的变化情况。在此基础上还研究了多层分子...
![Si基稀磁半导体的X射线吸收谱学研究]()
论文摘要本论文主要利用同步辐射X射线吸收精细结构谱学（XAFS）技术,结合X射线衍射（XRD）和拉曼光谱等实验方法联合研究了磁控溅射共溅射方法和分子束外延方法制备的Si基稀磁半...
![分子束外延Gd2O3、Nd2O3高介电纳米薄膜的结构研究]()
论文摘要随着晶体管的进一步小型化,由于存在漏电流,传统的SiO2已经无法满足下一代金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的栅介质要求。为了继续维持摩尔定律预测的发展速度,人们...
![先进CMOS高k栅介质的实验与理论研究]()
论文摘要随着集成电路的发展，摩尔定律一直驱动着集成电路的基本单元，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的等比例缩小。在等比例缩小中，我们必须把栅氧化层的厚度减小为...
![GaSb基量子阱激光器材料的结构设计与特性表征]()
论文摘要本论文针对高质量的InGaAsSb／AlGaAsSb量子阱激光器的特点和存在的问题，对激光器的结构进行了优化设计，并进行了锑化物的分子束外延（MBE）生长、激光器的制备...
![InP基InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器材料与设计研究]()
论文摘要本论文从理论上分析了InP基砷化物和锑化物半导体材料的基本性质,主要包括通过二元系和三元系材料参数线性插值计算InGaAlAs,InGaAsSb四元系材料的晶格常数、禁...
![InSb/InAsSb超晶格红外探测薄膜结构与性能]()
论文摘要本文用分子束外延法在半绝缘GaAs（001）衬底上成功生长了InSb/InAsSb超晶格薄膜材料,并对薄膜表面形貌、断面形貌、晶体结构、元素扩散和光电性能等进行了研究。...
![InAsSb/InAlSb异质结红外光敏薄膜结构与性能研究]()
论文摘要本文采用了分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上生长InAsSb/InAlSb异质结外延薄膜。样品采用了NBN异质结结构,来研究InAsSb/InAlSb异...
![ZnO基稀磁半导体单晶薄膜的分子束外延生长以及性能研究]()
论文摘要目前作为现代信息技术基石的半导体微电子技术主要利用电子的电荷自由度去存储和处理信息,随着集成化程度的提高和器件尺寸的减小目前的电子产业会由于进入原子尺度而到达它发展的极...
![MBE外延生长β-MnO2单晶薄膜的结构表征和拉曼光谱研究]()
论文摘要自从过渡金属氧化中发现大量新的物理现象和自旋电子学被高度重视以来,β-MnO2薄膜材料的生长、结构表征和拉曼光谱研究在磁性材料和类钙钛矿结构材料中是研究内涵丰富并且具备...
![InAs/GaSb超晶格界面微观结构研究]()
论文摘要GaSb/GaAs薄膜及InAs/GaSb超晶格等GaSb基材料作为重要的光电功能材料在中远红外探测等领域展现出了极大的应用前景。本文主要研究了GaAs衬底上GaSb薄...
![碳纳米结构在Si（111）-7×7重构表面的自组装]()
论文摘要本文主要在超高真空环境下利用分子束外延方式,研究碳在Si（111）-7×7重构表面生长,最终实现了碳纳米点在Si直台阶表面自组装生长。在此基础上探讨纳米点的电输运行为,...
![GaAs多层异质外延结构材料和SiC MESFET结构材料的X射线双晶衍射分析]()
论文摘要X射线双晶衍射法（XRD）能够分析生长材料的结晶完整性、均匀性、层厚、组分、应变、缺陷和界面等重要信息,同时具有非破坏性、精度高、操作简便等优点,逐渐成为对晶体质量测试...
![Er2O3高k栅介质材料的分子束外延生长、结构及其物理特性]()
论文摘要微电子工业的发展，对集成电路密度和性能提出了越来越高的要求，栅介质层的厚度也随之变得越来越薄。由于栅介质氧化层的直接隧穿而引起的静态功率损耗随之成指数形式增长，传统的S...
![InGaAs红外探测器器件与物理研究]()
论文摘要本论文对InGaAs探测器的器件表征及器件性能进行了研究，主要分析了影响探测器暗电流及R0A的各种噪声机制，取得了如下结果：1．从理论与实验两个方面对In0.53Ga0...
![掺铒富硅二氧化硅的结构、电学及光学性质与钼（100）表面外延生长氧化镁（100）薄膜上淀积钯与水反应的研究]()
论文题目:掺铒富硅二氧化硅的结构、电学及光学性质与钼（100）表面外延生长氧化镁（100）薄膜上淀积钯与水反应的研究论文类型:博士论文论文专业:凝聚态物理作者:徐飞导师:王迅关...
![硅基高κ材料的分子束外延生长]()
论文题目:硅基高κ材料的分子束外延生长论文类型:博士论文论文专业:凝聚态物理作者:徐闰导师:蒋最敏关键词:高材料,栅介质,分子束外延,二氧化铪,三氧化二饵文献来源:复旦大学发表...
![磷原子的表面偏析与表面磷原子对锗量子点自组织生长的影响]()
论文题目:磷原子的表面偏析与表面磷原子对锗量子点自组织生长的影响论文类型:博士论文论文专业:凝聚态物理作者:秦娟导师:蒋最敏关键词:磷原子表面偏析,分子束外延,锗量子点文献来源...
