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ZnO和ZnO/MgO复合层薄膜的PLD法制备及其特性研究
论文摘要氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有较大的激子束缚能(60meV),理论上可以在室温下实现紫外光的受激发射。同时,ZnO还...