复合缓冲层论文
TrenchCoolMOS终端结结构设计和实现
论文摘要随着现代功率集成电路的发展,对功率器件的性能提出了更高要求。希望此类功率器件具有较高的击穿电压能力、低的导通电阻、高的工作频率、低自热效应以及较好的器件隔离性。本文介绍...GaN衬底上复合缓冲层诱导BST类钙钛矿结构氧化物薄膜外延生长的研究
论文摘要以BST为代表的钙钛矿结构(ABO3)的多元氧化物是当今最热门的电子材料之一。作为微波及射频电路中无源器件的关键材料,它集铁电、介电等多种功能性能与一身。将这种功能材料...