腐蚀法论文

硅基应变与弛豫材料的缺陷机理与表征研究
论文摘要应变SiGe和应变Si以其相对于体Si的诸多优点,成为遵循摩尔定律发展的新材料技术。由于SiGe与衬底之间存在较大的晶格失配,所以异质外延得到的薄膜往往具有很高的位错密...
Si基LED材料位错与器件钝化研究
论文摘要相对于蓝宝石和SiC而言,Si衬底与GaN薄膜之间存在着更大的晶格失配和热失配,Si衬底GaN基LED外延膜生长技术和器件的稳定性面临着更大的挑战。本文就SiN钝化膜对...