• ICP-CVD法制备氟碳薄膜的实验研究

    ICP-CVD法制备氟碳薄膜的实验研究

    论文摘要氟碳(FC)薄膜由于具有较低的介电常数(可达2.0±0.1)、良好的热稳定性、粘附性,较低的表面能、折射率低等特性,已经引起了工业界的广泛关注。随着元器件特征尺寸减小,...
  • 介质阻挡放电法氟碳薄膜制备工艺及性能研究

    介质阻挡放电法氟碳薄膜制备工艺及性能研究

    论文摘要氟碳薄膜是一种很有应用前景的集成电路用介质材料,其低的介电常数和较好的热稳定性使它可以取代传统的SiO2作为致密、高速集成电路的金属互连线间的绝缘隔离层,从而提高集成电...