辅助剂论文

GaN纳米材料的CVD制备与研究
论文摘要氮化镓（GaN）是宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的代表,其禁带宽度为Eg=3.4eV,具有高饱和电子漂移速度、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高硬度等特性,是制作高效...
水热与微波水热法合成形貌可控纳米氧化钨粉体
论文摘要纳米氧化钨是重要的半导体材料,在信息存储、变色窗、燃料电池、化学传感器等领域有着广泛的应用前景,是目前最具开发潜力的材料之一。而特殊结构和形貌是影响材料性质的重要因素,...