改善工艺理论论文

SiC SBD的工艺研究及利用Silvaco模拟特性
论文摘要SiC半导体材料是继第一代半导体材料Si和第二代化合物半导体材料之后发展起来的第三代宽带隙（WBS）半导体材料,宽禁带半导体是指禁带宽度大于2.6eV的半导体材料。Si...