![高κ栅介质LaAlO3的电学特性研究]()
论文摘要在等比例缩小原则的约束下,为了保持优异的MOS器件的性能,同时又要抑制过大直接隧穿电流和保持栅氧化层的可靠性,这时就需要寻找一种新型的高κ材料来代替传统的SiO2栅介质...
![新型高κ材料叠栅MIS结构实现和电特性研究]()
论文摘要当集成电路发展到45nm工艺节点以下时，传统的SiO2作为栅氧化层介质会导致电子的直接隧穿效应以及栅介质层所承受的电场变大，由此引起的栅介质的泄漏电流增大和可靠性下降等...
![金属栅/高K栅介质层/Ge MOS电容研究]()
论文摘要随着MOS器件尺寸的缩小,进一步提高器件工作性能面临诸多挑战。许多新技术被开发出来用以克服这些挑战,例如为降低栅极漏电流需用高κ栅介质代替传统的Si02栅介质；为解决引...
![ZnMgO纳米薄膜在MOSFET和透明TFT中的应用]()
论文摘要日益增长的信息技术对超高集成度、高速、低功耗集成电路的需求，驱使晶体管的尺寸越来越小，随之而来的问题是作为MOS栅氧化物和DRAM电容介质的SiO2迅速减薄至物理极限。...
![Er2O3高k栅介质材料的分子束外延生长、结构及其物理特性]()
论文摘要微电子工业的发展，对集成电路密度和性能提出了越来越高的要求，栅介质层的厚度也随之变得越来越薄。由于栅介质氧化层的直接隧穿而引起的静态功率损耗随之成指数形式增长，传统的S...
![硅基高κ材料的分子束外延生长]()
论文题目:硅基高κ材料的分子束外延生长论文类型:博士论文论文专业:凝聚态物理作者:徐闰导师:蒋最敏关键词:高材料,栅介质,分子束外延,二氧化铪,三氧化二饵文献来源:复旦大学发表...
