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AlGaN/GaN HEMT高场退化效应与温度特性研究
论文摘要GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等特点,在高温以及微波功率器件制造领域具有极大的潜力。其中,异质结AlGaN/GaN的HEMT器件在微波大...
AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的研制与特性分析
论文摘要AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温大功率方面有非常好的应用前景。但是,AlGaN/GaNHEMT的工艺技术还不成熟,干法刻蚀、肖特基接触、欧姆...