![硅衬底上AlGaN/GaN异质结材料的生长研究]()
论文摘要氮化镓(GaN)是近年来发展最为迅速的第三代半导体材料之一。由于GaN的化学性质稳定,耐高温,直接带隙宽度大,高频大功率等特点,能够很好的弥补Si和AsGa等半导体材料...
![增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT器件的仿真研究]()
论文摘要宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等...
![GaN基双异质结特性研究]()
论文摘要由于出色的高频大功率处理能力,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件成为下一代RF和微波功率放大器的理想继任者。近些年来,随着材料质量和器件工艺的不断进步...
![GaAs MESFET和HEMT大信号模型的研究]()
论文摘要砷化嫁（GaAs）晶体是一种电学性能优越的Ⅲ一V族化合物半导体材料,以其为衬底制作的半导体器件及其集成电路由于具有信息处理速度快、超高频、低功耗、低噪声等突出的优点而得...
![超宽带低相移单片六位微波数字衰减器的设计与研究]()
论文摘要超宽带低相移单片微波数字衰减器在宽带电子对抗、相控阵雷达系统和宽带微波合成扫频信号发生器等仪器仪表中都有着广泛的应用。本文研究的超宽带单片六位微波数字衰减器插入相移小、...
![AlGaN/GaN FP-HEMTs研究]()
论文摘要AlGaN/GaNHEMT器件被认为是1-50GHz频率范围内理想的微波功率器件,而第三代移动通信（3G）时代的到来,对微波功率器件的性能提出了更高的要求:一方面要求功...
![AlGaN/GaN基HEMT材料性能与测试技术的研究]()
论文摘要高电子迁移率晶体管被公认为微波/毫米波器件和电路领域中最有竞争力的三端器件,它不仅具有优异的低噪声特性,而且具有出色的功率性能,将彻底改变以相控雷达为代表的军用电子装备...
![AlGaN/GaN HEMT微波功率特性研究]()
论文摘要随着微波系统的发展，对固态功率放大器件的性能要求越来越高，现有的GaAs功率器件已经越来越不能满足系统的要求。作为下一代固态微波功率器件，AlGaN／GaNHEMT具有...
![AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究]()
论文摘要氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一,其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝光、...
![AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的研制与特性分析]()
论文摘要AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管（HEMT）在高温大功率方面有非常好的应用前景。但是,AlGaN/GaNHEMT的工艺技术还不成熟,干法刻蚀、肖特基接触、欧姆...
![AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型、关键工艺及器件制作]()
论文摘要AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于具有大的直接带隙能、高的饱和漂移速度、大的导带不连续性、良好的热稳定性以及强的自发和压电极化效应,从而在高频、高温和...
