高电子迁移率元件论文

X波段GaN HEMT单片集成功率放大器设计
论文摘要GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点,其性能远远优于...