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GaN薄膜结构的高分辨X射线衍射表征及其电学特性分析
论文摘要Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN因其具有宽禁带半导体材料的典型优点而在光电器件、光探测器、新颖高性能微电子器件等领域得到广泛应用,成为目前国际上半导体技术发展的热点。然而由于GaN...
铁电/铁磁异质复合薄膜中界面应力效应研究
论文摘要铁电/铁磁异质复合材料因其巨大的应用潜力而受到研究者的广泛关注。此类材料不仅同时具有铁电性和铁磁性,而且还具有磁电耦合效应,利用这一效应,可以设计磁探测器、新功能存储器...