• 原子层淀积高介电常数栅介质研究

    原子层淀积高介电常数栅介质研究

    论文摘要随着微电子技术的飞速发展,作为硅基集成电路核心器件的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸一直按照摩尔定律不断地缩小。然而,当传统栅介质SiO2的厚度减...