高密度电容论文

表面后处理对原子层淀积HfO2介质的高密度MIM电容性能改善研究
论文摘要本文采用原子层淀积（ALD）技术,以四（乙基甲胺基）铪（TEMAH）与去离子水（H2O）为反应源,制备了高介电常数HfO2介质薄膜,研究了各种表面后处理方法对HfO2介...