高能电子衍射仪论文

InP基InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器材料与设计研究
论文摘要本论文从理论上分析了InP基砷化物和锑化物半导体材料的基本性质,主要包括通过二元系和三元系材料参数线性插值计算InGaAlAs,InGaAsSb四元系材料的晶格常数、禁...