![聚合物薄膜晶体管的性能优化及应力效应分析]()
论文摘要聚合物薄膜晶体管（PTFT）因具有广阔的应用前景而备受关注。在众多的PTFT器件中,聚三已基噻吩（P3HT）薄膜晶体管因具有相对较高的迁移率、较大的开关电流比而成为研究...
![纳米围栅MOSFET器件研究]()
论文摘要随着半导体器件尺寸不断缩小,通过等比例缩小器件尺寸来提高器件性能的方法即将接近极限。因此,众多研究致力于发展新型器件结构来满足纳米尺寸工艺条件下芯片对器件特性的要求。一...
![高k栅介质Ge MOS器件迁移率模型及制备工艺研究]()
论文摘要随着器件尺寸的不断缩小和电路集成度的不断提高,高k/多晶硅栅结构中的费米钉扎使得多晶硅不再是理想的栅电极。有研究称高k/金属栅结构不仅可以获得低栅薄层电阻、无耗尽的栅、...
![纳米SOI MOSFET的结构设计和性能分析]()
论文摘要随着半导体器件等比例缩小至纳米领域,器件的部分技术指标已经或者正在接近其固有的物理极限,各种纳米效应与可靠性问题限制了器件的发展。改变器件结构是最有效的解决方法之一。基...
![SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究]()
论文摘要随着芯片制造业遵循摩尔定律向大尺寸晶圆450mm、光刻线宽nm级、高精度、高效率、低成本发展，集成电路也逐步从微电子时代发展到微纳米电子时代，现有的体硅材料和工艺正接近...
![高k栅介质MOS器件模型和制备工艺研究]()
论文摘要随着金属氧化物半导体（MOS）器件尺寸的缩小,栅极漏电急剧增加,导致器件不能正常工作。为了降低超薄栅介质MOS器件的栅极漏电,需采用高介电常数（高k）栅介质代替SiO2...
![图形化SOI射频功率器件研究]()
论文题目:图形化SOI射频功率器件研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:程新红导师:俞跃辉关键词:图形化,射频功率器件,增益,高栅介质文献来源:中国科学院研...
