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氧化锌低维纳米结构的制备及发光研究
论文摘要ZnO是一种直接带隙的半导体材料,室温下带隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。ZnO纳米结构,由于在未来光电子器件方面的广阔应用前景,正受到人们广泛的关注。...