![ZnO:Eu3+发光材料的制备和性能表征]()
论文摘要ZnO是一种直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带氧化物半导体,室温下其禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,是一种适合于室温或更高温度下的短波长发光器件材料,在发光二极...
![红色稀土发光材料Y2O3:Eu3+的制备及性能表征]()
论文摘要稀土发光材料重要的是三基色荧光粉,它由红、绿、蓝三种稀土离子激活的荧光粉组成,用于稀土三基色荧光粉中的红粉Y2O3:Eu3+,其量子效率高,接近100%,而且有较好的色...
![ZAO靶材的制备及性能测试]()
论文摘要ZAO是在ZnO中掺杂少量的Al2O3,形成的一种n型半导体。它的性能可以与ITO（Sn2O3:In）相媲美,因此ZAO目前越来越受到广泛的重视。本文用直接沉淀法制备纳...
![稀土发光材料BaMoO4：Eu3+的制备与性能表征]()
论文摘要高亮度、性能稳定的红色发光材料一直是材料研究工作者研究的重点。本文采用化学沉淀法和高温能量球磨法合成红色发光材料BaMoO4:Eu3+粉体,并对其制备工艺、微观结构以及...
![钼酸盐材料的制备及性能表征]()
论文摘要论文研究了负热膨胀材料Y2Mo3O12、发光材料SrMoO4:Eu3+和Y2Mo3O12:Eu3+制备工艺和性能。采用化学沉淀法和高温能量球磨法进行粉体制备,采用X-射...
![YAG粉体的制备与性能表征]()
论文摘要钇铝石榴石YAG多晶陶瓷具有优异的光学性能、良好的力学和热学性能,有望取代YAG单晶成为新一代固体激光基质材料,目前己成为研究的热点。YAG粉休的分散性,烧结性都对最终...
